Flaş belleklerde kullanılabilecek yeni, yüksek hızda faz değiştiren maddeler bulundu. Lawrence Berkeley Ulusal Laboratuvarı'ndan ve California Berkeley Üniversitesi'nden araştırmacıların bulduğu bu yeni sınıf, flaş bellekler ve veri depolama gibi daha az enerji isteyen işlemlerde kullanılabilecek.

Bu yeni bulunan nanokristaller, metal alışımı ve yarı iletkenler; Bu maddelerdeki faz değişimleri, küçük bir elektrik akımıyla, lazer ışığıyla ya da ikisinin kombinasyonuyla tetiklenebiliyor. Bu sayede nanosaniyelerde kristalimsi fazdan amorf faza ve daha sonra tekrar kritalimsi faza geçiş sağlanabiliyor.

Araştırmacılara göre, bu yeni maddeler optik veri depolama teknolojisinde de kullanılabilir ancak pratik kullanıma geçebilmesi için daha çok çalışma yapılması gerekiyor.

Kaynak: CHIP Online